首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IXTH12N100Q

IXTH12N100Q

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-247（IXTH）
数量：
 6111  
说明：
 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXTH12N100Q-TO-247（IXTH）图片

IXTH12N100Q PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：30
功率耗散：300000 mW
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1050 mOhms
漏极连续电流：12 A
汲极/源极击穿电压：1 KV
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH12N100Q的详细信息，包括IXTH12N100Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • CSD18563Q5A
  • SQJ407EP-T1_BE3
  • STD10NF30
  • SQJ407EP-T1_GE3
  • TPH2R506PL,L1Q
  • IPP120N06S4H1AKSA2
  • AOTF22N50
  • AOTF20N60
  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC