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IXTH12N100Q

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-247（IXTH）
数量：
 6111  
说明：
 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
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IXTH12N100Q-TO-247（IXTH）图片

IXTH12N100Q PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
功率耗散：300000 mW
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1050 mOhms
漏极连续电流：12 A
汲极/源极击穿电压：1 KV
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH12N100Q的详细信息，包括IXTH12N100Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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