IXTA10N60P

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-263AA
数量:
 6687  
说明:
 MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
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IXTA10N60P-TO-263AA图片

IXTA10N60P PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:65 ns
工厂包装数量:50
上升时间:27 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 s
下降时间:21 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.74 Ohms
漏极连续电流:10 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA10N60P的详细信息,包括IXTA10N60P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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