IXTA120P065T

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 4635  
说明:
 MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
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IXTA120P065T PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:28 ns
功率耗散:298 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:58 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :75 S
下降时间:21 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 mOhms
漏极连续电流:- 120 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:- 65 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA120P065T的详细信息,包括IXTA120P065T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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