IXFR64N60P

厂家：: Ixys
封装：: ISOPLUS247?
数量：: 6309
说明：: MOSFET DIODE Id36 BVdass600

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IXFR64N60P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：79 ns
工厂包装数量：30
上升时间：23 ns
功率耗散：360 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：63 s
下降时间：24 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOPLUS 247
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.105 Ohms
漏极连续电流：36 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

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