点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
上升时间:250 ns
功率耗散:570 W
栅极电荷 Qg:200 nC
包装形式:Tube
封装形式:ISOPLUS 247
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):72 mOhms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS
以上是IXFR80N50Q3的详细信息,包括IXFR80N50Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!