IXFQ50N60P3

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 96
说明：: MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

一、本商品被浏览0次.

IXFQ50N60P3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

上升时间：20 ns
功率耗散：1040 W
栅极电荷 Qg：94 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：55 S, 32 S
下降时间：17 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.145 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFQ50N60P3的详细信息，包括IXFQ50N60P3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：