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IXFR10N100Q

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-247-3
数量：
 5751  
说明：
 MOSFET MOSFET w/FAST Intrinsic Diode
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IXFR10N100Q-TO-247-3图片

IXFR10N100Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：30
上升时间：23 ns
功率耗散：250 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOPLUS 247
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFR10N100Q的详细信息，包括IXFR10N100Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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