IXFR10N100Q

厂家:
  Ixys
封装:
 TO-247-3
数量:
 5751  
说明:
 MOSFET MOSFET w/FAST Intrinsic Diode
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IXFR10N100Q PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:40 ns
工厂包装数量:30
上升时间:23 ns
功率耗散:250 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:15 ns
包装形式:Tube
封装形式:ISOPLUS 247
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
漏极连续电流:9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:1000 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFR10N100Q的详细信息,包括IXFR10N100Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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