IXFN82N60Q3

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227B
数量：: 8775
说明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

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IXFN82N60Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：300 ns
功率耗散：960 W
栅极电荷 Qg：275 nC
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 mOhms
漏极连续电流：66 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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