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IXFP12N50P

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3
数量：: 1435
说明：: MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500

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IXFP12N50P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：50
上升时间：27 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 s
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.5 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXFP12N50P的详细信息，包括IXFP12N50P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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