IRFR18N15DPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: D-Pak
数量：: 324
说明：: MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC

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IRFR18N15DPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：75
上升时间：25 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：28 nC
下降时间：9.8 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：125 m Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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