IRFR18N15DPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 D-Pak
数量:
 324  
说明:
 MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC
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IRFR18N15DPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:15 ns
工厂包装数量:75
上升时间:25 ns
功率耗散:110 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:28 nC
下降时间:9.8 ns
包装形式:Tube
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):125 m Ohms
漏极连续电流:18 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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