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IRFR1N60ATRPBF

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 11417  
说明：
 MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
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IRFR1N60ATRPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：14 ns
功率耗散：36 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：14 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.88 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 Ohm at 10 V
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFR1N60ATRPBF的详细信息，包括IRFR1N60ATRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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