IRFR1N60ATRPBF

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 11417  
说明:
 MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
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IRFR1N60ATRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:18 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:14 ns
功率耗散:36 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:14 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.88 S
下降时间:20 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7 Ohm at 10 V
漏极连续电流:1.4 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFR1N60ATRPBF的详细信息,包括IRFR1N60ATRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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