IRFHE4250DTRPBF

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 32-PQFN（6x6）
数量：: 2466
说明：: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

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IRFHE4250DTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：32-PowerWFQFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：156W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1735pF @ 13V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.75 毫欧 @ 27A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：86A，303A
漏源电压（Vdss）：25V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：FASTIRFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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