IRFHM830DTR2PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-VQFN 裸露焊盘
数量:
 7146  
说明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC
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IRFHM830DTR2PBF-8-VQFN 裸露焊盘图片

IRFHM830DTR2PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:400
功率耗散:37 W
栅极电荷 Qg:13 nC
包装形式:Reel
电阻汲极/源极 RDS(导通):7.1 mOhms
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFHM830DTR2PBF的详细信息,包括IRFHM830DTR2PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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