IRFH5020TR2PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-PQFN（5x6）
数量：: 6309
说明：: MOSFET MOSFT 200V 41A 59mOhm 36nC Qg

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
上升时间：7.7 ns
功率耗散：3.6 W
栅极电荷 Qg：36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：18 S
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：PQFN
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：55 mOhms
漏极连续电流：5.1 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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