IRFH5104TR2PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-VQFN 裸露焊盘
数量:
 5029  
说明:
 MOSFET MOSFT 40V 100A 3.5mOhm 53nC Qg
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IRFH5104TR2PBF-8-VQFN 裸露焊盘图片

IRFH5104TR2PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 nS
工厂包装数量:400
上升时间:15 ns
功率耗散:114 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:53 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :56 S
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:PQFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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