IRFH4257DTRPBF

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 双 PQFN（5x4）
数量：: 2484
说明：: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：25W，28W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1321pF @ 13V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A
漏源电压（Vdss）：25V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：HEXFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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