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IRFD110

厂家：
  Vishay Semiconductors
封装：
 4-HVMDIP
数量：
 6021  
说明：
 MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
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IRFD110-4-HVMDIP图片

IRFD110 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：16 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns
包装形式：Tube
封装形式：HexDIP-4
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：540 mOhms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD110的详细信息，包括IRFD110厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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