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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:12 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:33 ns
功率耗散:1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.8 nC
下降时间:23 ns
包装形式:Tube
封装形式:HD-1
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms
漏极连续电流:1.7 A
汲极/源极击穿电压:50 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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