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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:44 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
封装形式:SOIC-8
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):26 mOhms
漏极连续电流:7 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:International Rectifier
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