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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:180 ns
上升时间:5 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:69 nC
下降时间:58 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 m Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier
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