首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IRF7379PBF

IRF7379PBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 8-SO
数量：
 6813  
说明：
 MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IRF7379PBF-8-SO图片

IRF7379PBF PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns, 25 ns
工厂包装数量：95
上升时间：21 ns, 17 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：16.7 nC
下降时间：7.7 ns, 18 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：75 mOhms
漏极连续电流：5.8 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7379PBF的详细信息，包括IRF7379PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • NVD5C486NT4G
  • NVD5C486NLT4G
  • SQD25N06-22L_T4GE3
  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC