IRF7379QTRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SO
数量:
 6822  
说明:
 MOSFET
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IRF7379QTRPBF-8-SO图片

IRF7379QTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:2.5 W
栅极电荷 Qg:16.7 nC
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):75 mOhms
漏极连续电流:5.8 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N and P-Channel
制造商:International Rectifier

以上是IRF7379QTRPBF的详细信息,包括IRF7379QTRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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