IPW65R150CFDFKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO247-3
数量：: 414
说明：: MOSFET

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IPW65R150CFDFKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：7.6 ns
功率耗散：195.3 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：86 nC
下降时间：5.6 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：135 mOhms
漏极连续电流：22.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：700 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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