IPW65R150CFDFKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO247-3
数量:
 414  
说明:
 MOSFET
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IPW65R150CFDFKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:7.6 ns
功率耗散:195.3 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:86 nC
下降时间:5.6 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):135 mOhms
漏极连续电流:22.4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:700 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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