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IPW65R660CFD

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-247
数量：
 1160  
说明：
 MOSFET
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IPW65R660CFD-TO-247图片

IPW65R660CFD PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFDXK SP000861700
上升时间：8 ns
功率耗散：63 W
栅极电荷 Qg：22 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.66 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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