IPW65R660CFD

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-247
数量:
 1160  
说明:
 MOSFET
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IPW65R660CFD PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFDXK SP000861700
上升时间:8 ns
功率耗散:63 W
栅极电荷 Qg:22 nC
下降时间:10 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.66 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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