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IPU50R950CEAKMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO251-3
数量：
 3969  
说明：
 MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
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IPU50R950CEAKMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：53W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：231 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：950 毫欧 @ 1.2A，13V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc）
漏源电压（Vdss）：500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：CoolMOS? CE
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPU50R950CEAKMA1的详细信息，包括IPU50R950CEAKMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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