IPUH6N03LB G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO251-3
数量：: 8865
说明：: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

一、本商品被浏览0次.

IPUH6N03LB G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.3 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2800pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安装类型：通孔

以上是IPUH6N03LB G的详细信息，包括IPUH6N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：