IPP12CN10N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO220-3
数量:
 6129  
说明:
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 67A
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IPP12CN10N G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPP12CN10NGXK
典型关闭延迟时间:32 ns
工厂包装数量:500
上升时间:21 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0129 Ohms
漏极连续电流:67 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP12CN10N G的详细信息,包括IPP12CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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