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IPP139N08N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-220-3
数量：: 6147
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPP139N08N3GHKSA1 IPP139N08N3GXKSA1 SP000680870
典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：500
功率耗散：79 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：19 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：48 S, 24 S
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：13.6 mOhms
漏极连续电流：45 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP139N08N3 G的详细信息，包括IPP139N08N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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