首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPP110N20NAXK

IPP110N20NAXK

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3
数量：: 4046
说明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

一、本商品被浏览0次.

IPP110N20NAXK PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPP110N20NA IPP110N20NAAKSA1
典型关闭延迟时间：41 ns
上升时间：26 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：65 nC
下降时间：11 ns
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流：88 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP110N20NAXK的详细信息，包括IPP110N20NAXK厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：