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IPP111N15N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 6623  
说明：
 MOSFET N-Channel 150V MOSFET
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IPP111N15N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
典型关闭延迟时间：32 nS
上升时间：35 nS
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：41 nC
下降时间：9 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.8 mOhms at 10 V
漏极连续电流：83 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP111N15N3 G的详细信息，包括IPP111N15N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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