IPN60R360PFD7SATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-3-1
数量：: 7803
说明：: MOSFET N-CH 650V 10A SOT223

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IPN60R360PFD7SATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：534 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.7 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 140μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 2.9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolMOS?PFD7
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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