IPN70R1K2P7SATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-SOT223
数量:
 7479  
说明:
 MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
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中文参数如下:
:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):6.3W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):174 pF @ 400 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.8 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 900mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Tc)
漏源电压(Vdss):700 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:CoolMOS? P7
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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