IPI80N06S208

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220AB
数量:
 2088  
说明:
 MOSFET MOSFET
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IPI80N06S208-TO-220AB图片

IPI80N06S208 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:32 ns
上升时间:15 ns
功率耗散:215 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:14 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8 m Ohms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

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