IPI80N06S3-07

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO262-3
数量：: 441
说明：: MOSFET N-CH 55V 80A

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IPI80N06S3-07 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPI80N06S307XK
典型关闭延迟时间：34 ns
上升时间：41 ns
功率耗散：135 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：33 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.8 m Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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