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IPI045N10N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-262
数量：
 4808  
说明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPI045N10N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPI045N10N3GXK IPI045N10N3GXKSA1 SP000683068
典型关闭延迟时间：48 ns
工厂包装数量：500
上升时间：59 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0045 Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI045N10N3 G的详细信息，包括IPI045N10N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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