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IPG20N06S415ATMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8-4
数量：
 2493  
说明：
 MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
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IPG20N06S415ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：50W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2260pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 17A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：Digi-Key 停止提供
包装：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPG20N06S415ATMA1的详细信息，包括IPG20N06S415ATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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