IPI023NE7N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
数量：: 4239
说明：: MOSFET N-Channel 75V MOSFET

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IPI023NE7N3 G-TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA图片

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中文参数如下：

零件号别名：IPI023NE7N3GAKSA1 IPI023NE7N3GXK SP000641732
典型关闭延迟时间：70 nS
工厂包装数量：500
上升时间：26 nS
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：155 nC
下降时间：22 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-262-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.3 mOhms at 10 V
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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