首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-35

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON-8
数量：
 21353  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPG20N06S2L-35-TDSON-8图片

IPG20N06S2L-35 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35XT SP000613718
功率耗散：65 W
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPG20N06S2L-35的详细信息，包括IPG20N06S2L-35厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC