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IPG20N06S2L-65

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON-8
数量：
 9783  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET
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IPG20N06S2L-65 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65XT SP000613722
典型关闭延迟时间：10 nS
上升时间：3 nS
功率耗散：43 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.4 nC
下降时间：7 nS
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：65 mOhms at 10 V
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPG20N06S2L-65的详细信息，包括IPG20N06S2L-65厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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