IPB320N20N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3
数量:
 4101  
说明:
 MOSFET N-channel POWER MOS
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中文参数如下:

零件号别名:IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GXT SP000691172
典型关闭延迟时间:21 ns
上升时间:9 ns
功率耗散:136 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:22 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :54 S, 27 S
下降时间:4 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):32 mOhms
漏极连续电流:34 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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