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IPB35N10S3L-26

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 7254  
说明：
 MOSFET MOSFET
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IPB35N10S3L-26 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26XT SP000776044
典型关闭延迟时间：18 ns
上升时间：4 ns
功率耗散：71 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：30 nC
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：26.3 mOhms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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