首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPB065N15N3GE818XT

IPB065N15N3GE818XT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-7
数量：: 4365
说明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

一、本商品被浏览0次.

IPB065N15N3GE818XT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：E8187 G IPB065N15N3 IPB065N15N3GE8187ATMA1
典型关闭延迟时间：46 ns
上升时间：35 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：70 nC
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO263-7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流：130 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB065N15N3GE818XT的详细信息，包括IPB065N15N3GE818XT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：