IPB06CNE8N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 7038  
说明:
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A
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IPB06CNE8N G-TO-263图片

IPB06CNE8N G PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:27 ns
功率耗散:214 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.2 m Ohms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:85 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB06CNE8N G的详细信息,包括IPB06CNE8N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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