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IPB06CNE8N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 7038  
说明：
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A
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IPB06CNE8N G-TO-263图片

IPB06CNE8N G PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：27 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.2 m Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：85 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB06CNE8N G的详细信息，包括IPB06CNE8N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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