IPA057N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220FP
数量:
 1023  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPA057N08N3 G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPA057N08N3GXK IPA057N08N3GXKSA1 SP000454442
典型关闭延迟时间:36 ns
工厂包装数量:500
上升时间:42 ns
功率耗散:39 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220FP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0057 Ohms
漏极连续电流:60 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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