IPA093N06N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3 FullPAK
数量：: 7260
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPA093N06N3GXK IPA093N06N3GXKSA1 SP000451088
典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：500
上升时间：40 ns
功率耗散：33 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：51 S
下降时间：5 ns
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO220-3 FullPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.3 mOhms
漏极连续电流：43 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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