中文参数如下:
典型关闭延迟时间:39 ns
工厂包装数量:98
上升时间:23 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:31 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.039 Ohms
漏极连续电流:5.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是HUF75631SK8的详细信息,包括HUF75631SK8厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!