HUF75639G3_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-247
数量:
 7155  
说明:
 MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
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HUF75639G3_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 ns
上升时间:60 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:25 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.025 Ohms
漏极连续电流:56 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

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