HUF75623S3S

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 5508  
说明:
 MOSFET
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HUF75623S3S-TO-263AB图片

HUF75623S3S PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:47 ns
上升时间:42 ns
功率耗散:85 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:39 ns
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.064 Ohms
漏极连续电流:22 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HUF75623S3S的详细信息,包括HUF75623S3S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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