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HN7G02FE(TE85L,F)

厂家：
  Toshiba
封装：
 ES-6
数量：
 9091  
说明：
 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA
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HN7G02FE(TE85L,F) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最大功率耗散：100 mW
直流电流增益 hFE 最大值：400
集电极连续电流：- 100 mA
封装形式：ES-6
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：120
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 50 V
集电极—基极电压 VCBO：- 50 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G02FE(TE85L,F)的详细信息，包括HN7G02FE(TE85L,F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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