HN7G02FE(TE85L,F)

厂家:
  Toshiba
封装:
 ES-6
数量:
 9091  
说明:
 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA
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HN7G02FE(TE85L,F) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:4000
包装形式:Reel
最大功率耗散:100 mW
直流电流增益 hFE 最大值:400
集电极连续电流:- 100 mA
封装形式:ES-6
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:120
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V
集电极—基极电压 VCBO:- 50 V
晶体管极性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G02FE(TE85L,F)的详细信息,包括HN7G02FE(TE85L,F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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