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HN7G04FU-A(TE85L,F

厂家：
  Toshiba
封装：
 ES-6
数量：
 5148  
说明：
 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms
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HN7G04FU-A(TE85L,F PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：200 mW
直流电流增益 hFE 最大值：1000
集电极连续电流：- 400 mA
封装形式：ES-6
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：300
增益带宽产品fT：130 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 12 V
集电极—基极电压 VCBO：- 15 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G04FU-A(TE85L,F的详细信息，包括HN7G04FU-A(TE85L,F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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